化学气象沉积法_化学气相沉积法cvd
1.物理气相沉积法与化学气相沉积法有何区别
2.微波等离子体化学气象沉积的工作原理?
3.cvd和pvd分别代表什么?
4.什么是金属有机物化学气相沉积
5.化学气相沉积的介绍
呵呵,这是机理性的东西,CVD?法是在高温条件下分解含有C元素的原料气体,生成碳原子,甲基原子团等活性粒子,并在合适的工艺条件下,在基底材料上沉积出金刚石膜的方法。对于CVD?金刚石膜的沉积机理,存在诸多模型,比较一致的描述为(CH4/H2系统)
H2=2H·
CH4=CH3·+H·
CH4+H·=CH3·+H2
由于CH3·具有金刚石结构,而其悬挂键又被大量的氢原子所饱和,因此金刚石膜表面就保持了稳定的sp3杂化结构,即金刚石的四面体结构。若其上沉积新的碳原子,就可能与其键合形成sp3杂化键,从而形成金刚石晶体,如此循环反复即可得到金刚石膜。
给你看个图吧,是CVD金刚石膜生长过称中sp3结构碳生成的具体过程:
物理气相沉积法与化学气相沉积法有何区别
化学气相沉积原理:化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition 简称CVD) 是利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的过程。
过程:化学气相沉积过程分为三个重要阶段:反应气体向基体表面扩散、反应气体吸附于基体表面、在基体表面上发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面。最常见的化学气相沉积反应有:热分解反应、化学合成反应和化学传输反应等。
化学气相沉积法之所以得到发展,是和它本身的特点分不开的,其特点如下:
(1)沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜,也可以按要求制备多组分合金的薄膜,以及陶瓷或化合物层。
(2)CVD反应在常压或低真空进行,镀膜的绕射性好,对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。
(3)能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。
(4)由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多,由此可以得到纯度高、结晶完全的膜层,这是有些半导体膜层所必须的。
(5)利用调节沉积的参数,可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。
(6)设备简单、操作维修方便。
(7)反应温度太高,一般要850-1100℃下进行,许多基体材料都耐受不住CVD的高温。用等离子或激光技术可以降低沉积温度。
微波等离子体化学气象沉积的工作原理?
化学气相沉积过程中有化学反应,多种材料相互反应,生成新的的材料。
物理气相沉积中没有化学反应,材料只是形态有改变。
物理气相沉积技术工艺过程简单,对环境改善,无污染,耗材少,成膜均匀致密,与基体的结合力强。缺点膜一基结合力弱,镀膜不耐磨, 并有方 向性
化学杂质难以去除。优点可造金属膜、非金属膜,又可按要求制造多成分的合金膜,成膜速度快,膜的绕射性好
cvd和pvd分别代表什么?
微波等离子体化学气相沉积(简称MPCVD)法作为目前适合金刚石薄膜工业生产的主要方法之一, 与其他如热丝化学气相沉积法(简称HFCVD)、直流等离子体化学气相沉积法(简称DC-PCVD)和射频等离子体化学气相沉积法(简称Rf-PCVD)等相比, 具有以下优点:① 沉积温度低;② 微波放电是无极放电, 无气体污染和电极腐蚀;电离和分解程度高, 原料气体分解充分, 等离子体密度高;④ 运行气压范围宽, 在高气压下能维持等离子体;⑤ 微波等离子体密度涨落低, 重复性好, 等离子体参数(离子密度、电子温度)的调整较为方便;⑥ 衬底外形适应性强。由于MPCVD 法具有以上优点, 利用该方法制备的金刚石膜具有良好的微观结构和与基体的粘附性。 很多研究者都认为MPCVD法是制备电子学应用的金刚石膜的最适当的方法。
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什么是金属有机物化学气相沉积
CVD技术是化学气相沉积Chemical Vapor Deposition的缩写。
化学气相沉积乃是通过化学反应的方式,利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源,在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。?简单来说就是:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后他们相互之间发生化学反应,形成一种新的材料,沉积到基片表面上。?从气相中析出的固体的形态主要有下列几种:在固体表面上生成薄膜、晶须和晶粒,在气体中生成粒子。
PVD(Physical Vapor Deposition)---物理气相沉积:指利用物理过程实现物质转移,将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。它的作用是可以使某些有特殊性能(强度高、耐磨性、散热性、耐腐性等)的微粒喷涂在性能较低的母体上,使得母体具有更好的性能。 PVD基本方法:真空蒸发、溅射 、离子镀(空心阴极离子镀、热阴极离子镀、电弧离子镀、活性反应离子镀、射频离子镀、直流放电离子镀)。
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化学气相沉积的介绍
金属有机物化学气相沉积(metal
organic
chemical
vapour
deposition)
又称有机金属化合物气相淀积法。一种利用有机金属热分解反应进行气相外延生长薄膜的化学气相沉积技术。该方法现在主要用于化合物半导体的气相生长上。用该法制备薄膜时,作为含有化合物半导体元素的原料化合物,必须满足常温稳定且易处理,在室温附近有适当的蒸气压,反应的副产物不应妨碍晶体生长,不应污染生长层等条件。因此常选用金属的烷基或芳基衍生物,羟基衍生物、羟基衍生物等为原料。它最主要的特点是沉积温度低。另外由于不用卤化物原料,因此在沉积中不存在刻蚀反应;适用范围广,几乎可生长所有化合物和合金半导体;生长温度范围宽,适宜大批量生产。但该方法也存在一些缺点:难以进行原位监测生长过程,许多有机金属化合物蒸气有毒、易燃;反应温度低,因此有时在气相中就发生反应。
化学气相沉积是一种制备材料的气相生长方法,它是把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室,借助空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术。
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